不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

论文类型	基础研究	发表日期	2004-12-01
来源	半导体学报
作者	孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨
关键词	HgCdTe 光伏探测器钝化倒易点阵暗电流
摘要	在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器，对器件的性能进行了测试，发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算，分析了器件的暗电流机制，发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响，发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷，而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因．

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